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    反應器壁發射率對各環硅碳棒內部徑向溫度分布的影響
      為進一步研究24對硅碳棒反應器中,反應器壁發射率對各環硅碳棒內部徑向溫度分布的影響,分析得到硅碳棒半徑為7 cm時,內、中、外環硅碳棒內部溫差與反應器發射率的關系,見圖6。由圖6可知,隨著反應器壁發射率的增大,各環硅碳棒內的徑向溫差增大。相比內環和中環硅碳棒,外環硅碳棒所受輻射率的影響更顯著:當反應器壁發射率為0.1時,內環、中環和外環硅碳棒內部溫差分別為46,69和102 K;當發射率增大到0.9時,內環、中環和外環硅碳棒內部溫差分別為113,202和367 K。這是因為當反應器器壁的發射率越大,器壁所吸收的熱量就越多,能反射回硅碳棒表面的熱量減少,從而導致硅碳棒表面輻射熱損失增大。根據式(10)可知,熱總和需要保持不變,所以需提供的熱量增多,從而使硅碳棒的徑向溫度梯度增大,最終導致硅碳棒內部溫差增大。http://www.rundingkeji.cn/
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